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真空蒸鍍之工藝對(duì)比

作者: 來(lái)源: 日期:2020/9/2 10:41:31 人氣:3497

1. 電阻蒸發(fā)源蒸鍍發(fā)  

A. 加熱:高熔點(diǎn)金屬做成適當(dāng)形狀蒸發(fā)源,電流通過(guò)直接加熱。 

B. 優(yōu)點(diǎn):結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、造價(jià)便宜、使用可靠

C. 缺點(diǎn):所能到到的最高溫度有限,加熱器壽命較短

D. 適合:熔點(diǎn)不太高,尤其對(duì)膜層質(zhì)量要求不大高的大批量生產(chǎn)。 

 2. 電子束蒸發(fā)源蒸鍍發(fā) 

A. 蒸發(fā)材料放入冷水鉗鍋中,利用電子束加熱

B. 優(yōu)點(diǎn):獲得更大能量密度,使高熔點(diǎn)材料蒸發(fā)且速度快,膜的純度較高,熱效率高。

C. 分類:環(huán)形槍,直槍,e型槍和空心陰極槍等幾種。

D. 適合:高熔點(diǎn),純度要求高的材料。


 

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